- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11573 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H01L 27/11573
Brevets de cette classe: 2050
Historique des publications depuis 10 ans
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89
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209
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321
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400
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361
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308
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205
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17
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| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
523 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
252 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
242 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
195 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
179 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
177 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
76 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
65 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
52 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
29 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 297 |
27 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
21 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
20 |
| Infineon Technologies LLC | 597 |
18 |
| Intel NDTM US LLC | 373 |
13 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
12 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
10 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
8 |
| Toshiba Memory Corporation | 255 |
7 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
6 |
| Autres propriétaires | 118 |